硅中30°部分位错孤子的顺磁结构
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
基于从头计算，我们为硅中重构的30°部分位错的基本激发提出了一种新结构。该孤子具有一种罕见的结构，涉及位错核附近的一个五重配位原子。这种缺陷独特的电子结构与塑性变形硅中迄今难以理解的、热稳定的R中心的电子自旋共振特征一致。这一识别表明有可能通过实验确定孤子的密度，而孤子是理解材料塑性流动的关键缺陷。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9805328,
title = {Paramagnetic structure for the soliton of the $30^\circ$ partial dislocation in silicon},
author = {Gabor Csanyi and Sohrab Ismail-Beigi and T. A. Arias},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9805328},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures