通过初步计算揭示硅中 $30^\circ$ 部分位错的新物理
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
基于初步计算，我们提出了对重构 部分位错基本激发态的新结构。该孤子结构包含位错核心附近的五配位原子。该缺陷的独特电子结构与对体塌性变形硅中神秘稳定 R 中心的电子自旋共振特征相一致。我们首次确定了该孤子的自由能，结果与实验观察相符。这一鉴定表明可实验测定孤子浓度，这是理解材料塑性流变的关键缺陷。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011147,
title = {New Physics of the $30^\circ$ Partial Dislocation in Silicon Revealed through {\em Ab Initio} Calculation},
author = {Gabor Csanyi and Torkel D. Engeness and Sohrab Ismail-Beigi and T. A. Arias},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011147},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 postscript figures