碳化硅中可扩展单色中心的激光写入
介观与纳米尺度物理
2018-12-12 v1 应用物理
量子物理
摘要
碳化硅（SiC）中的单光子发射体作为量子光子学系统正受到关注。然而，要实现可扩展器件，必须在所需位置按需产生单光子发射体。在此我们报道了利用激光写入在4H-SiC中受控产生单硅空位（V_{Si}）中心，且无需任何后退火工艺。由于写入装置中的像差校正与非退火工艺，我们产生了产率高达30%的单V_{Si}中心，位于横向平面内距目标位置约80 nm范围内。我们还研究了激光写入V_{Si}中心的光物理，并得出结论：激光写入V_{Si}中心过程涉及约16个光子。我们的结果为SiC中用于量子技术的单V_{Si}中心制备提供了有力工具，并为介电材料中激光写入缺陷提供了进一步见解。
引用
@article{arxiv.1812.04284,
title = {Laser writing of scalable single colour centre in silicon carbide},
author = {Yu-Chen Chen and Patrick S. Salter and Matthias Niethammer and Matthias Widmann and Florian Kaiser and Roland Nagy and Naoya Morioka and Charles Babin and J ürgen Erlekampf and Patrick Berwian and Martin Booth and J örg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04284},
year = {2018}
}