利用聚焦离子束在碳化硅中可扩展制备单硅空位缺陷阵列
量子物理
2017-06-20 v1
摘要
在本工作中，我们提出一种利用聚焦离子束在碳化硅(SiC)中定向、无掩模且可扩展地制备单硅空位(VSi)缺陷阵列的方法。注入的VSi缺陷的分辨率受限于离子束直径，为几十纳米量级。首先，我们研究了所生成缺陷自旋系综的光致发光(PL)谱与光探测磁共振(ODMR)，确认合成的中心处于期望的缺陷态。接着，我们探究了单VSi缺陷的荧光特性，测量结果表明存在光稳定单光子源。最后，我们发现Si++离子到VSi缺陷的转换产率随注入剂量降低而升高。在碳化硅中可靠地制备VSi缺陷，可为其在量子光子学与量子信息处理中的应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.1703.04479,
title = {Scalable fabrication of single silicon vacancy defect arrays in silicon carbide using focused ion beam},
author = {Junfeng Wang and Xiaoming Zhang and Yu Zhou and Ke Li and Ziyu Wang and Phani Peddibhotla and Fucai Liu and Sven Bauerdick and Axel Rudzinski and Zheng Liu and Weibo Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04479},
year = {2017}
}