通过亚秒激光写入实现固体浸入镜中单个量子发射器的可扩展注册

将固态量子发射器精确地注册到光子结构中是基础研究（例如在腔量子电动力学中）和量子技术应用中的重大技术挑战。标准方法包括对预存在于光子结构上的发射器进行复杂的多步骤制造，这些发射器通常在 lithographically 定义的标记网格中注册。我们演示了一种无标记、亚秒激光写入技术，用于在光子结构中生成单个量子发射器。对 28 个缺陷中心进行表征，这些中心在亚秒激光写入于预存在的固体浸入镜结构中心。结果显示其相对于光子结构中心的偏移为 x 方向为 260 nm，y 方向为 60 nm，分别为 $\pm 170$ nm 和 $\pm 90$ nm，导致光学收集效率平均提升 4.5 倍。该方法可扩展用于开发使用硅碳中自旋-光子接口的集成量子设备。