通过调控晶界局域非化学计量比设计锰氧化物的输运特性
材料科学
2019-03-04 v1
摘要
纳米晶薄膜等界面主导型材料已成为一类引人入胜的材料，能够设计广泛用于能源与信息技术的过渡金属氧化物的功能特性。特别是，已证明锰氧化物晶界中应变诱导缺陷通过增强其氧质量输运同时削弱其电子与磁序，深刻影响其功能特性。本工作中，这些剧烈变化的起源首次与应变晶界区域附近阴离子与阳离子组成的强烈改变相关联。我们还能够通过调控薄膜中总体阳离子含量来改变晶界组成，这代表了一种超越经典空间电荷层效应、用于设计金属氧化物薄膜电子与质量输运特性的新而有力的工具，可应用于一系列相关固态器件。
引用
@article{arxiv.1903.00225,
title = {Engineering Transport in Manganites by Tuning Local Non-Stoichiometry in Grain Boundaries},
author = {F. Chiabrera and I. Garbayo and L. Lopez-Conesa and G. Martin and A. Ruiz-Caridad and M. Walls and L. Ruiz-Gonzalez and A. Kordatos and M. Nunez and A. Morata and S. Estrade and A. Chroneos and F. Peiro and A. Tarancon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.00225},
year = {2019}
}