单斜变形应变与单斜化合物金属-绝缘相变
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
本文报告了对铁锰氧化物的偏振光显微镜和电阻传输研究，揭示了这些化合物中电荷有序相变典型表现为单斜相变。我们证明，电荷有序单斜化合物的特定电子性质源于单斜应变和强电子关联效应的共同作用。这种固有应变受陶瓷样品中晶界的强烈影响。一致地，我们的研究表明，低场磁阻率显著增强，晶粒尺寸对电阻有显著影响，表明该类单斜化合物的传输性质由由单斜应变稳定的低温电荷无序绝缘相支配。该相对应变和磁场极其敏感，导致各种显著现象，例如在低磁场下可达10^10%的异常高磁阻。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107609,
title = {Martensitic accommodation strain and the metal-insulator transition in manganites},
author = {V. Podzorov and B. G. Kim and V. Kiryukhin and M. E. Gershenson and S-W. Cheong},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107609},
year = {2009}
}
备注
Short paper, 4 figures, to appear in Rapid Communication