GaN 外延层中铒光学中心的激发机制
材料科学
2015-07-21 v1
摘要
我们报道了在金属有机物化学气相沉积生长的 GaN 外延层中，两种负责激发光学活性 Er3+ 离子的机制的直接证据。这两种机制，即通过更高层内 4f 壳层跃迁的共振激发和半导体主体的带间激发，导致了来自孤立铒中心和缺陷相关铒中心的窄发射线。然而，这些中心具有不同的光致发光光谱、衰减动力学和激发截面。孤立铒光学中心可由任一机制激发，具有相同的衰减动力学，但在带间激发下具有更高的截面。相比之下，缺陷相关铒中心只能通过带间激发来激发，但具有最大的截面。这些结果解释了在掺铒 GaN 中实现增益的困难，并指出了在室温下实现光放大乃至激光发射的新途径。
引用
@article{arxiv.1507.05119,
title = {Excitation Mechanisms of Er Optical Centers in GaN Epilayers},
author = {D. K. George and M. Hawkins and M. McLaren and H. X. Jiang and J. Y. Lin and J. M. Zavada and N. Q. Vinh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05119},
year = {2015}
}