GaAsN合金中E+跃迁的起源
材料科学
2012-12-07 v1
摘要
我们通过超胞方法中的全势LAPW方法研究了氮浓度在0.9-3.7%范围内的GaAsN体系的光学性质。通过计算介电函数的虚部来识别E+跃迁。研究了该跃迁能量随氮浓度的演变，并通过分析不同能带组合对介电函数的贡献来识别该跃迁的起源。结果表明，L_1c衍生的态在E+跃迁的形成中起着重要作用，这也被最近的实验所证实。同时，氮诱导的主体化合物第一导带的修饰也被发现对E+跃迁有显著贡献。此外，对几个模型超胞的研究证明了氮势对GaAsN体系光学性质的显著影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405004,
title = {The origin of the E+ transition in GaAsN alloys},
author = {V. Timoshevskii and N. Madini and M. Cote and R. Leonelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405004},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures