AlGaN拓扑声子相变中原子间力常数的变化
材料科学
2023-10-17 v1
摘要
声子的拓扑效应已在多种材料中被广泛研究,特别是在宽禁带半导体GaN中,其凭借本征的、拓扑保护的、无耗散的声子表面态有潜力改善功率电子中的散热。然而,氮化物及其复合合金中Weyl声子的相变尚待阐明。为揭示微观起源,本工作采用虚晶近似(VCA)和特殊准随机结构(SQS)方法研究了AlGaN合金中的拓扑声子性质。研究发现,Weyl声子的相变在AlGaN合金与氮化物单晶中均明显存在。在应变状态下,GaN和AlN在承受双轴压缩和单轴拉伸应变时均表现出更显著的Weyl声子相变。并且观察到,自项中的zz分量和横向最近邻(1NN)力常数(FCs)在相变过程中最具影响。由VCA建模的AlGaN合金中非线性Weyl声子转变反映于归一化自项与最近邻(1NN)FCs中,其随幅度增大呈非线性变化。该非线性现象亦在SQS建模中得到证实,其中展开声子色散与VCA建模中的一致。随着分支增多,出现数百个Weyl声子,并伴随归一化FCs中的显著无序,主要发生于N原子的自项以及归一化1NN FCs的所有分量中。
引用
@article{arxiv.2310.09996,
title = {Variations of Interatomic Force Constants in the Topological Phonon Phase Transition of AlGaN},
author = {Daosheng Tang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.09996},
year = {2023}
}
备注
18 pages, 5 figures