通过深缺陷态的发光猝灭：Ce掺杂YAG中经氧空位的复合路径
材料科学
2021-01-14 v2
摘要
通过非辐射复合通道的发光猝灭限制了荧光粉和闪烁体等光学材料的效率，因此对转换效率和器件寿命具有影响。在 Ce 掺杂钇铝石榴石（YAG:Ce）等材料中，猝灭表现出对温度和激活剂浓度的强烈依赖，限制了制备具有高工作温度的高强度白光发光二极管的能力。在此，我们通过第一性原理计算揭示了 YAG:Ce 中一种涉及氧空位并导致热激活浓度猝灭的高效复合机制。我们证明该机制起作用的关键要求是具有强电子-声子耦合的局域态。这些条件普遍存在于宽带隙材料中的本征缺陷（如阴离子空位）中。因此，本发现与广泛的一类光学材料相关，并阐明了一般的thermal quenching机制。
引用
@article{arxiv.2008.05830,
title = {Luminescence quenching via deep defect states: A recombination pathway via oxygen vacancies in Ce-doped YAG},
author = {Christopher Linderälv and Daniel Åberg and Paul Erhart},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.05830},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 6 figures