GaN 中反转畴界高效发光的起源
材料科学
2009-11-07 v2
摘要
已有报道指出，GaN 中人为引入的反转畴界是高效的复合中心。在此，我基于第一性原理密度泛函计算，为这一现象提供了理论解释。此外，基于 GaN 中极化的存在，我提出了一个模型，用于解释在两个相反极性表面间施加电压时畴界充当整流结的观测现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210192,
title = {Origin of the efficient light emission from inversion domain boundaries in GaN},
author = {V. Fiorentini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210192},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 4 pages, 4 eps figures