纤锌矿GaN中与Zn相关的深能级中心
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
GaN中的Zn形成一个高效的辐射中心，并作为深受主，可使晶体绝缘。目前已鉴定出四种不同的Zn相关中心，导致在1.8 eV至2.9 eV范围内产生光发射。我们利用超软赝势和共轭梯度总能量最小化方法，对纤锌矿GaN中替代Ga的Zn和异质反位替代N的Zn进行了第一性原理总能量和电子结构计算研究。我们的结果使得蓝光发射中心被鉴定为替代受主，而与普遍看法相反，Zn_N异质反位具有非常高的形成能和施主行为，这似乎排除了它作为其他中心起源的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9610044,
title = {Zn-related deep centers in wurtzite GaN},
author = {Fabio Bernardini and Vincenzo Fiorentini and R. M. Nieminen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9610044},
year = {2016}
}
备注
4 pages, to appear in "The Physics of Semiconductors"