氮化镓中浅受主能级的从头计算
材料科学
2008-02-03 v1
摘要
从头计算预测了纤锌矿GaN中受主的杂质能级和形成能。发现Be_Ga是浅受主（热电离能约为0.06 eV）；Mg_Ga和Zn_Ga是中深受主（分别为0.23 eV和0.33 eV）；Ca_Ga和Cd_Ga是深受主（约0.65 eV）；Si_N是具有高形成能的带隙中间陷阱；最后，与最近的声称相反，C_N是深受主（0.65 eV）。间隙原子和异质反位在能量上与替代掺入相比不具有竞争力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9610045,
title = {Ab initio shallow acceptor levels in gallium nitride},
author = {V. Fiorentini and F. Bernardini and A. Bosin and D. Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9610045},
year = {2008}
}
备注
4 pages, to appear in "The Physics of Semiconductors"