利用铍实现 GaN 高效 p 型掺杂的理论证据
材料科学
2009-10-28 v2
摘要
从头计算预测 Be 是 GaN 中的浅受主。其在纤锌矿 GaN 中的热电离能为 0.06 eV;在闪锌矿相中该能级为价带共振态。Be 的掺入受到 Be_3N_2 形成的严重限制。然而,我们表明与活性物种的共掺可以提高溶解度。在 MOCVD 生长中,经过约 850 K 的后生长退火,H 辅助掺入应能实现高掺杂水平。在 MBE 生长温度下,Be-O 共掺可产生高浓度的 Be 和 O。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9610108,
title = {Theoretical evidence for efficient p-type doping of GaN using beryllium},
author = {F. Bernardini and Vincenzo Fiorentini and A. Bosin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9610108},
year = {2009}
}
备注
revised Feb 24 1997