使用单片集成多孔氧化铝掩模制备有序 InAs 量子点
材料科学
2025-01-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文探讨了一种在大面积 GaAs (001) 预图案化表面上获取受控 InAs 量子点 (QD)的方法。通过使用单片集成的纳米通道氧化铝 (NCA) 掩模，并在到达 GaAs 表面后继续进行阴极化以将其自组织有序性传递至底部 GaAs 基片中，实现了基片的图案化。图案化后，GaAs 基片经低温工艺准备表面后进行生长以形成量子点。最终结果表明，纳米孔作为 InAs QD 形成的优先晶核，填充因子接近 1，而在图案孔之间的表面区域几乎完全抑制了量子点的形成。
引用
@article{arxiv.2501.13441,
title = {Ordered InAs QDs using prepatterned substrates by monolithically integrated porous alumina},
author = {Pablo Alonso-González and María S. Martín-González and Javier Martín-Sánchez and Yolanda González and Luisa González},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.13441},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 6 figures