基于局部氧化纳米光刻的高纳米尺度 InAs 量子点有序化
介观与纳米尺度物理
2025-01-22 v1 量子物理
摘要
通过原子力显微镜（AFM）局部氧化纳米光刻，在预掩模化的 GaAs（0 0 1）衬底上获得了有序的 InAs 量子点（QD）数组。在 InAs 分子束蒸发沉积之前，先通过原子氢蚀刻，在 GaAs 预掩模表面形成有序的方阵纳米孔。整个过程中维持较低的衬底温度，以避免图案平滑。我们的结果表明，GaAs 表面上纳米孔的密度和尺寸决定了 InAs QD 的尺寸、核生长位置以及 InAs 掺杂量。根据纳米孔阵列的几何参数，我们可以获得有序的二维分离 QD 数组、紧密堆积的 QD 或 QD 形成的局部区域。
引用
@article{arxiv.2501.10849,
title = {Ordered InAs quantum dots on pre-patterned GaAs (0 0 1) by local oxidation nanolithography},
author = {J. Martín-Sánchez and Y. González and L. González and M. Tello and R. García and D. Granados and J. M. García and F. Briones},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.10849},
year = {2025}
}