均匀大面积雕塑型薄膜结构中纳米与微尺度的融合

通过电子束蒸发在光刻定义的图案上生长硅衬底上的SiO$_x$ ($x\approx 2$)纳米线，首次实现了在复杂形状纳米线组装中结合大厚度（>3微米）、大面积均匀性（75毫米直径）和高生长速率（高达0.4微米/分钟）。纳米尺度和微尺度因此在具有横向结构的雕塑型薄膜中融合。原子自阴影效应（由于倾斜沉积）使纳米线能够连续生长、突然改变方向并保持恒定的横截面。纳米线组装在1-D和2-D阵列的顶部表面的选择性生长可以通过简单的几何阴影方程来理解和预测。