非对称壳层沉积引起的核壳纳米线弯曲
仪器与探测器
2021-07-28 v2
摘要
自支撑半导体纳米线为半导体器件开辟了新的可能性，实现了先前不可能的几何结构、材料组合与应变状态。沿着这些思路，非对称核壳纳米线异质结构中的自发弯曲最近被提出作为一种手段，以实现先前无法设想的器件几何、新颖的应变梯度工程与自下而上的器件制备。这些纳米结构的合成利用了纳米线几何与壳层沉积过程的方向性。在此，我们通过建模非对称壳层沉积过程中纳米线的演化来探究该弯曲过程的潜在机制。我们展示了弯曲如何导致沿纳米线长度方向剧烈的局部壳层厚度、曲率与应变变化，并阐明了壳层生长与弯曲对诸如核与壳的尺寸及材料、以及沉积源入射角等参数的依赖关系。此外，探究了相邻纳米线造成的沉积阴影。我们展示阴影可轻易用于连接纳米线对，这可用于制备新型纳米线传感器。模型结果与 GaAs-InP 及 GaAs-(Al,In)As 核壳纳米线生长实验进行了比较。这些结果可用于指导未来的实验，并有助于为弯曲纳米线器件铺平道路。
引用
@article{arxiv.2105.02311,
title = {Bending of core-shell nanowires by asymmetric shell deposition},
author = {Spencer W. McDermott and Ryan B. Lewis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.02311},
year = {2021}
}