不相容半导体合金核壳纳米线中表面诱导相分离的控制
介观与纳米尺度物理
2017-01-16 v1
摘要
半导体纳米线已被证明相对于由相同材料制成的块体样品展现出新颖的光电特性。然而，如果半导体合金在其相图中存在混溶间隙，则在平衡状态下会发生相分离，导致上述特性退化。防止这种分离的一种方法是低温生长材料从而抑制动力学。此类生长之后通常需要进行高温退火，以消除系统中不良的生长诱导缺陷。在本研究中，我们提出一种通过裁剪几何结构与应变来控制核壳纳米线在高温退火过程中相分离的方法。利用相场模型，我们确定纳米线中的相分离始于自由表面并向块体内部传播。我们发现，在核周围包含薄壳会延迟相分离，而厚壳则几乎完全抑制分离。
引用
@article{arxiv.1701.03749,
title = {Control of surface induced phase separation in immiscible semiconductor alloy core-shell nanowires},
author = {M. Arjmand and J. H. Ke and I. Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03749},
year = {2017}
}