扭曲双层硒化锗中的一维平带
强关联电子
2020-03-02 v2 材料科学
统计力学
摘要
近年来，在小角度相对扭转的少层材料制备与表征方面的实验进展显示了平能带的出现。其后果是电子相互作用变得显著，为探索强关联二维系统的物理提供了途径。在此，我们通过结合大规模第一性原理模拟与数值精确的强关联方法证明，将两层扭转的 GeSe 薄片堆叠后会浮现出一个有效的一维系统，这与迄今研究的所有 Moiré（莫尔）系统形成鲜明对比。这不仅允许研究一维中激发的必然集体性质，也可作为一个有前景的平台，通过调节扭转角在受控装置中审视从二维到一维的跨接，从而为理论提供了引人入胜的基准。我们由此确立扭曲双层 GeSe 作为探索低维系统强关联物理的一条引人入胜的途径。
引用
@article{arxiv.1905.04025,
title = {One-dimensional flat bands in twisted bilayer germanium selenide},
author = {D. M. Kennes and L. Xian and M. Claassen and A. Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.04025},
year = {2020}
}
备注
version as published