单层 MoS$_{2}$ 中的应变诱导迁移率调制
介观与纳米尺度物理
2015-09-30 v1
摘要
本文研究了双轴和单轴应变对温度 T 100 K 下单层 MoS 迁移率的影响。考虑了来自本征声子模、远程声子与带电杂质的散射以及静态屏蔽。利用第一性原理模拟研究应变对电子能带结构的诱导效应，并使用线性化玻尔兹曼输运方程评估不同应变条件下的低场迁移率。结果表明，迁移率随沿扶手椅方向的双轴拉伸应变和单轴拉伸应变而增加。然而在压缩应变下，当应变大小变化时，迁移率表现出非单调行为。特别地，在相对较小的1%压缩应变下，迁移率相比无应变状态降低约一半，但在较大压缩应变下迁移率部分恢复此种退化。
引用
@article{arxiv.1503.01301,
title = {Strain induced mobility modulation in single-layer MoS$_{2}$},
author = {Manouchehr Hosseini and Mohammad Elahi and Mahdi Pourfath and David Esseni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01301},
year = {2015}
}