含缺陷 MoS2 单层中的应变诱导磁性
材料科学
2014-03-04 v2
摘要
通过密度泛函计算，在具有原子单空位的单层 MoS2 中观察到了应变诱导磁性。计算得出的磁矩不小于每个空位缺陷。应变诱导的带隙闭合与磁性的出现同时发生。阐述了应变诱导磁性出现的物理机制。我们还展示了在实验中测试预测磁性的可能性。我们的研究可能为利用富地球的无磁性材料 MoS2 设计新型记忆开关或逻辑器件提供机会。
引用
@article{arxiv.1309.2066,
title = {Strain-induced magnetism in MoS2 monolayer with defects},
author = {Peng Tao and Huaihong Guo and Teng Yang and Zhidong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.2066},
year = {2014}
}
备注
4 pages,5 figures