应变单层MoS2的声子带隙工程
材料科学
2014-08-05 v3
摘要
单层MoS2的声子能带结构具有声学支和光学支之间的大能隙特征,这保护了声学模式的振动免受光学声子模式的散射。因此,声子带隙工程对于操控单层MoS2中与声子相关的力学或热学性质具有实际意义。我们进行了声子分析和分子动力学模拟,以研究张力对单层MoS2声子带隙的影响以及压缩引起的失稳。我们的关键发现是:单轴张力可以使声子带隙变窄,并在ε=0.145时完全闭合;而双轴张力对声子带隙的影响有限。我们还展示了单层MoS2的压缩诱导屈曲。从单层MoS2弯曲模式的能带结构分析中提取了屈曲的临界应变,并通过分子动力学模拟和欧拉屈曲理论进一步验证。我们的研究表明,单轴张力是操控单层MoS2声子带隙的有效方法,而双轴压缩是引发单层MoS2屈曲的有力工具。
引用
@article{arxiv.1403.4327,
title = {Phonon Bandgap Engineering of Strained Monolayer MoS2},
author = {Jin-Wu Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.4327},
year = {2014}
}
备注
Nanoscale, published