应变单层MoSe2中的声子软化与直接到间接带隙转变
材料科学
2013-04-10 v3
摘要
受最近Tongay等人[Tongay et al., Nano Letters, 12(11), 5576 (2012)]实验观察的启发，我们展示了弹性双轴应变如何影响单层MoSe2的电子性质和拉曼特性。我们发现随着应变增加：(1) E'和E"拉曼峰（体材料中的E1g和E2g）出现显著红移（高达30 cm-1），(2) A1'峰位置保持在180 cm-1（体材料中的A1g），且随进一步应变变化不大，(3) 低能弯曲声子的色散从二次型转变为线性，(4) 电子能带结构在3%双轴拉伸应变下发生直接到间接带隙的转变。因此，施加应变似乎是快速可逆调控单层MoSe2及类似MX2二硫属化物电子、振动和光学性质的一种有前景的方法。
引用
@article{arxiv.1302.6635,
title = {Phonon Softening and Direct to Indirect Bandgap Crossover in Strained Single Layer MoSe2},
author = {S. Horzum and H. Sahin and S. Cahangirov and P. Cudazzo and A. Rubio and T. Serin and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.6635},
year = {2013}
}
备注
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.87.125415