基于拉曼活性的单层二维晶体应变映射
介观与纳米尺度物理
2018-04-04 v1
摘要
通过执行基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们计算了新型单层二维(2D)材料的拉曼活性声子模式，以及面内双轴应变对这些拉曼活性模式的峰频和相应活性的影响。我们的结果确认了未应变2D晶体的拉曼光谱，并给出了应变下晶体拉曼活性模式的预期变化。结果总结如下：(i)在施加拉伸(压缩)应变时声子模式频率软化(硬化)；(ii)面内和面外振动模式的拉曼活性对应变的响应呈相反趋势，因此可通过追踪这些模式的相对活性来监测材料中的内建应变；(iii)特别地，单层Si和Ge中的A峰在临界拉伸应变下消失；(iv)尤其在单原子和双原子单层中，峰频位移比拉曼活性的变化更能指示应变；(v)单层ReX2(X=S, Se)的拉曼活性模式对应变几乎无响应。就峰位和模式的相对拉曼活性而言，2D材料拉曼光谱的应变诱导改变可成为一种便捷的表征工具。
引用
@article{arxiv.1803.01232,
title = {Strain Mapping In Single-Layer 2D Crystals Via Raman Activity},
author = {M. Yagmurcukardes and C. Bacaksiz and E. Unsal and B. Akbali and R. T. Senger and H. Sahin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.01232},
year = {2018}
}