少层MoS$_2$中新观测到的一阶共振拉曼模
材料科学
2015-06-17 v1
摘要
我们报道了少层MoS光谱中在激发能量高于2.4~eV时于286~cm和471~cm处出现的两个新的一阶拉曼模。这些模仅出现在少层MoS中；因此它们的缺失为识别单层MoS提供了一种简便而准确的方法。我们表明这些模与因对称性而在单层中未被观测到的声子相关。这些声子中的每一个在少层样品中导致几个近简并声子。少层材料中的近简并声子属于两种不同的对称性表示，在反演或水平反射下表现出相反行为。结果，少层材料中存在与单层对称性禁戒声子频率几乎相同的拉曼活性声子。我们在此对所有具有反演中心或平行于层的镜面的少层二维晶体结构给出了这一效应的普适处理。我们证明总是会出现不同对称性的近简并声子模，因此可预期类似的伪激活效应。
引用
@article{arxiv.1503.08980,
title = {Newly observed first-order resonant Raman modes in few-layer MoS$_2$},
author = {Nils Scheuschner and Roland Gillen and Matthias Staiger and Janina Maultzsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08980},
year = {2015}
}