3R 与 2H MoS$_{2}$ 中依赖堆垛的层间声子
介观与纳米尺度物理
2019-02-01 v1
摘要
我们利用偏振依赖的超低频拉曼光谱研究了具有纯 3R 和 2H 堆垛秩序的 MoS 中的层间剪切与呼吸声子模式。我们在厚度从 2 到 13 层的 MoS 中观测到多达三个剪切支和四个呼吸支。呼吸模式对两种多型均呈现相同的拉曼活性行为,但 2H 呼吸频率始终比 3R 呼吸频率高出数个波数,表明 2H MoS 具有比 3R MoS 略强的层间晶格耦合。相反,2H 与 3R MoS 的剪切模式拉曼光谱差异显著:2H 结构中最强的剪切模式对应最高频支,而 3R 结构中则对应最低频支。这种 3R 与 2H 多型截然不同又互补的拉曼光谱使我们能够 surveying MoS 从最高到最低支的广泛剪切模式。通过结合线性链模型、群论、有效键极化率模型与第一性原理计算,我们可解释实验中的所有主要观测。
关键词
引用
@article{arxiv.1901.11230,
title = {Stacking-Dependent Interlayer Phonons in 3R and 2H MoS$_{2}$},
author = {Jeremiah van Baren and Gaihua Ye and Jia-An Yan and Zhipeng Ye and Pouyan Rezaie and Peng Yu and Zheng Liu and Rui He and Chun Hung Lui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.11230},
year = {2019}
}
备注
18 pages, 8 figures (supplemental material: 23 pages, 13 figures). 2D Materials, Accepted Manuscript online 24 January 2019