单轴应变石墨烯中修正的自旋轨道耦合
介观与纳米尺度物理
2019-02-08 v1
摘要
在紧束缚（TB）方法框架内研究了应变石墨烯中的本征和Rashba自旋轨道相互作用。通过将\emph{ab initio}能带结构与TB结果拟合，提取了石墨烯Slater-Koster（SK）参数对应变的依赖关系。针对受外部垂直电场作用的应变石墨烯，提出了一种存在自旋轨道耦合的广义低能有效哈密顿量。计算了修正的Rashba强度和有效哈密顿量的其他参数对应变和电场的依赖关系。为了分析所施加应变对石墨烯电子性质的影响，必须考虑晶格变形、跳跃幅度的修正以及狄拉克点的移动。我们发现，利用应变可以控制Rashba和本征自旋轨道耦合的强度以及移动狄拉克点处的能隙。同时，应变轻微修正了狄拉克点附近低能色散的拓扑结构。我们将SOCs诱导的能隙分裂描述为应变的函数。
引用
@article{arxiv.1902.02656,
title = {Modified spin-orbit couplings in uniaxially strained graphene},
author = {H. Rezaei and A. Phirouznia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.02656},
year = {2019}
}