自旋过滤范德瓦耳斯异质结构中的巨隧穿磁阻
介观与纳米尺度物理
2018-05-17 v1
摘要
利用磁阻的磁性多层器件是磁传感与数据存储技术的支柱。本文报道了基于范德瓦耳斯(vdW)异质结构的新型多重自旋过滤磁隧道结(sf-MTJ),其中原子级薄的碘化铬(CrI3)作为自旋过滤隧穿势垒夹在石墨烯接触之间。我们展示了隧穿磁阻随CrI3层厚增加显著增强,在使用四层sf-MTJ的磁性多层结构中于低温下达到创纪录的19,000%。这些器件还显示出随磁场变化的多种电阻态,表明单个vdW sf-MTJ具有实现多比特功能的潜力。利用磁圆二色性测量,我们将这些效应归因于原子级薄CrI3的逐层本征反铁磁序。我们的工作揭示了将磁信息存储推向原子级薄极限的可能性,并凸显CrI3作为vdW异质结构自旋电子器件优异磁隧道势垒的地位。
引用
@article{arxiv.1801.08679,
title = {Giant Tunneling Magnetoresistance in Spin-Filter van der Waals Heterostructures},
author = {Tiancheng Song and Xinghan Cai and Matisse Wei-Yuan Tu and Xiaoou Zhang and Bevin Huang and Nathan P. Wilson and Kyle L. Seyler and Lin Zhu and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Michael A. McGuire and David H. Cobden and Di Xiao and Wang Yao and Xiaodong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08679},
year = {2018}
}
备注
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