基于磁性纳米结构的自旋电子器件
介观与纳米尺度物理
2011-12-09 v1
摘要
本文研究了两种基于磁性纳米结构的自旋电子器件，这些结构包含 GaAs 衬底上含钴纳米颗粒的二氧化硅薄膜 SiO2(Co)——磁场传感器和受外加磁场控制的场效应晶体管。磁场传感器基于注入磁阻效应。该效应表现为在 SiO2(Co)/GaAs 界面附近的 GaAs 中，磁场雪崩式地抑制载流子。场效应晶体管的栅极下方包含 SiO2(Co) 薄膜。研究发现，由于 Co 纳米颗粒自旋与电子自旋之间的相互作用，磁场的作用会导致沟道中电子迁移率发生巨大变化。
引用
@article{arxiv.1112.1798,
title = {Spintronic devices on the base of magnetic nanostructures},
author = {L. V. Lutsev and A. I. Stognij and N. N. Novitskii and A. S. Shulenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1798},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 4 figures