Fe/Al_0.1Ga_0.9As/GaAs 自旋注入异质结构中的电子自旋动力学与超精细相互作用
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了在Al_0.1Ga_0.9As/GaAs量子阱（QW）异质结构中，自旋偏极化电子与晶格核之间的超精细相互作用。自旋偏极化电子通过金属铁磁体跨越施图茨隧穿障碍器注入到半导体异质结构中。自旋偏极化电子电流会动态地偏极化量子阱中的核子，而被偏极化的核子反过来又会影响电子自旋动力学。通过发射电子发光的圆偏振来检测稳态电子自旋。我们使用GaAs的光学取向形式对核极化和电子自旋动力学进行了准确建模。发现量子阱中的核自旋偏极取决于量子阱中电子自旋偏极程度，但仅受量子阱中电子密度的微弱影响。我们能够通过电气调制注入到量子阱中的自旋来观察低场（约几百Oe）下的核磁共振（NMR）。电气驱动的NMR明确显示了由于电子自旋产生的骑士场作用于核子。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501096,
title = {Electron Spin Dynamics and Hyperfine Interactions in Fe/Al_0.1Ga_0.9As/GaAs Spin Injection Heterostructures},
author = {J. Strand and X. Lou and C. Adelmann and B. D. Schultz and A. F. Isakovic and C. J. Palmstrom and P. A. Crowell},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501096},
year = {2009}
}
备注
19 Figures - submitted to PRB