n型掺杂体GaAs中的GHz自旋噪声谱学
介观与纳米尺度物理
2010-04-22 v3
摘要
我们将自旋噪声谱学发展为一种超快工具，用于解析半导体中的高频自旋动力学。光学非破坏性实验揭示了在金属-绝缘体转变密度下n型掺杂GaAs晶片中非均匀自旋退相的真正起源。结合深度分辨自旋噪声测量，这些测量证明自旋退相速率的展宽并非源于热涨落或自旋-声子相互作用（如先前所认为的），而是源于表面电子耗尽。
引用
@article{arxiv.0909.3406,
title = {GHz Spin Noise Spectroscopy in n-Doped Bulk GaAs},
author = {Georg M. Müller and Michael Römer and Jens Hübner and Michael Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.3406},
year = {2010}
}