GaAs 中 L 谷电子自旋动力学
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1 材料科学
摘要
我们在 GaAs 外延层中进行了光取向实验，使用 3 eV 区域的光激发能量，在卫星 L 谷中产生了自旋极化电子。我们证明，当电子在经历数百 meV 的能量弛豫后从 L 谷散射到 谷时，大部分电子自旋记忆得以保留。结合这些高能光激发实验与 谷自旋极化光生电子的时间分辨光致发光光谱，我们推导出典型的 L 谷电子自旋弛豫时间为 200 fs，这与理论计算一致。
引用
@article{arxiv.1207.5978,
title = {L-valley Electron Spin Dynamics in GaAs},
author = {T. Zhang and P. Barate and C. T. Nguyen and A. Balocchi and T. Amand and P. Renucci and H. Carrere and B. Urbaszek and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.5978},
year = {2015}
}