半导体中电子的光电自旋存储器
应用物理
2018-05-02 v1 材料科学
摘要
我们在半导体中光学产生电子自旋，并施加垂直于它们的外磁场。采用圆偏振光泵浦进行时间分辨光致发光测量，以研究半导体宿主中的自旋极化和自旋记忆时间。测得的自旋极化被发现随探测的时间延迟呈指数衰减。还发现从极化衰减中提取的自旋记忆时间随外磁场强度增强而延长。然而，在较高场下，由于相互作用电子与局域核场的耦合，记忆时间饱和至亚微秒（sub-μs）量级。
引用
@article{arxiv.1805.00171,
title = {Optoelectronic spin memories of electrons in semiconductors},
author = {M. Idrish Miah},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.00171},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 3 figures