双量子阱中单井基本边缘磁等离子体的排斥
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
本文在强磁场、低温且总填充因子为 \nu=2 的情况下，对双量子阱 (DQW) 边缘的基本边缘磁等离子体 (EMPs) 进行了微观处理。该处理适用于拉曼水平 (LL) 扁平化可被忽略的横向约束势。假设圆盘能与 Zeeman 能大于 DQW 能分裂 \sqrt{\Delta^2 +4T^2}，其中 \Delta 为孤立阱的能分裂，T 为隧穿矩阵元。%hen 计算得到的未加扰动密度轮廓在边缘处较为锐利。使用随机相位近似 (RPA)，包括局域与非局域电流密度贡献，结果表明当隧穿耦合可忽略时 2T << \Delta，阱间库仑耦合导致两个 DQW 基本 EMPs 相对于解耦的单井基本 EMP 进行强烖化。这些 DQW 模态可进一步通过改变 DQW 沿 z 轴的间距 d、以及沿 y 轴的阱边缘间隔 \Delta y 来进行修改。DQW 模态的电荷轮廓随着 y 轴变化呈 {\it 快速} 与 {\it 慢} 两种模式，分别以 {\it 声学} 和 {\it 光学} 方式变化，且在 \ell_{0} 尺度上不光滑。对于强隧穿 \Delta\alt 2T，这些 DQW 模态在改变 \Delta 时会发生根本性修改，可通过在 DQW 上施加横向电场来实现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9810001,
title = {Repulsion of Single-well Fundamental Edge Magnetoplasmons in Double Quantum Wells},
author = {O. G. Balev and P. Vasilopoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810001},
year = {2009}
}
备注
Text 18 pages in Latex/Revtex/Preprint format, 2 Postscript figures