InAs 纳米线量子点中可调的有效 g 因子
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们报道了 InAs 少电子量子点中 Zeeman 自旋劈裂的隧穿光谱测量。这些量子点形成于通过化学束外延生长的具有 wurtzite 晶体结构的 InAs 纳米线中两个 InP 势垒之间。发现进入量子点的前几个电子的电子 g 因子值强烈依赖于量子点尺寸，其范围从大点中接近 InAs 体相值的 到最小点中的 。我们结合一个简单模型对这些发现进行了讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507433,
title = {Tunable effective g-factor in InAs nanowire quantum dots},
author = {M. T. Björk and A. Fuhrer and A. E. Hansen and M. W. Larsson and L. E. Jensen and L. Samuelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507433},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures