用于快速空穴自旋 Rabi 振荡的 SiGe 量子点
介观与纳米尺度物理
2014-01-14 v1
摘要
我们报告了在具有非常靠近纳米结构的顶栅电极的三端子 SiGe 自组装量子点器件中进行的空穴 g 因子测量。对垂直和平行 g 因子的测量均显示，顶栅电压的微小调制会引起显著变化。根据观测到的调制，我们估计在真实的实验条件下，空穴自旋可以通过电学手段以约 100MHz 的 Rabi 频率进行操控。这项工作强调了基于空穴的纳米器件通过 g 张量调制技术实现高效自旋操控的潜力。
引用
@article{arxiv.1307.7196,
title = {SiGe quantum dots for fast hole spin Rabi oscillations},
author = {N. Ares and G. Katsaros and V. N. Golovach and J. J. Zhang and A. Prager and L. I. Glazman and O. G. Schmidt and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.7196},
year = {2014}
}