半导体量子点中空穴自旋电学操控的简单模型：量子点材料与取向的影响
量子物理
2019-04-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了一个用于空穴自旋量子比特的典型箱中粒子模型。该量子点处于静磁场与静电场中，并受射频电场驱动，由于自旋轨道耦合而产生拉比振荡。我们推导了在拉比振荡主要源于量子比特态与单个邻近激发态之间耦合的 regime 下的拉比频率方程。已表明该 regime 在例如绝缘体上硅薄纳米线中的空穴自旋量子比特中占主导。拉比频率方程突出了控制拉比振荡的参数。我们特别表明，(001) 衬底上 [110] 取向的量子点比 [001] 取向的量子点表现好得多，因为它们最好地利用了宿主材料价带各向异性。我们还得出结论，尽管自旋轨道耦合较小，硅在该 regime 下为快速拉比振荡提供了最佳机会。
引用
@article{arxiv.1901.09563,
title = {Simple model for electrical hole spin manipulation in semiconductor quantum dots: Impact of dot material and orientation},
author = {Benjamin Venitucci and Yann-Michel Niquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09563},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 8 figures