IV族量子阱中受主束缚态的自旋量子比特操控
介观与纳米尺度物理
2018-03-02 v1
摘要
IV族半导体价带中的大自旋轨道耦合提供了用于自旋量子比特操控的电场旋钮。这一事实可利用基于受主的量子比特来实现。在工程的SiGe量子阱中，束缚于受主的空穴的自旋操控强烈依赖于所施加的电场和异质结构参数。g因子通过Ge含量增强，并可通过在异质结构组成层之间移动空穴波函数来调节。由量子阱和电场共同引起的反演对称破缺以及g因子可调性允许不同的量子比特操控方法，例如电子自旋共振、电偶极自旋共振和g张量调制共振。重空穴量子比特可实现高达数百MHz的拉比频率，而轻空穴量子比特可达GHz量级。
引用
@article{arxiv.1702.00960,
title = {Spin qubit manipulation of acceptor bound states in group IV quantum wells},
author = {J. C. Abadillo-Uriel and M. J. Calderón},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00960},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 8 figures