平面德氏体中空子自旋量子比特的可变性
介观与纳米尺度物理
2026-03-02 v2
摘要
Ge/GeSi异质结构中的空子自旋量子比特受益于 epitaxial 界面干净的环境，以及内在自旋轨道耦合，这种耦合可实现高效的电气控制，使其成为量子计算的有前景的候选者。然而，自旋轨道耦合也会增强对电气失序的敏感性，从而可能增加可变性。在本工作中，我们在真实器件几何中进行数值模拟，以量化由 Ge/oxide 界面电荷陷阱引起的空子电荷和自旋属性的可变性。我们表明，电荷属性的可变性保持适中，而自旋属性（g 因子和 Rabi 频率）显示出显著的离散。我们探讨了这种可变性对大规模架构的影响，并提供了在界面质量要求和最优操作策略方面的消除可变性指南。
引用
@article{arxiv.2507.04953,
title = {Variability of hole spin qubits in planar Germanium},
author = {Biel Martinez and Yann-Michel Niquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.04953},
year = {2026}
}