倾斜磁场下 InAs 量子点中的共挥隧穿：实验确定 g 因子各向异性
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
我们利用共挥隧穿实验确定了自组织 InAs 量子点中的 Landé 因子 g*。当磁场沿生长方向 z 轴施加时，发现特定量子点的 g*_平行 = 0.75。当磁场沿 theta 角度远离生长轴时，g* 逐渐增大，最终在 B \perp z 时达到 g*_垂直 = 0.92。其角度依赖性遵循现象学行为 g*(theta) = \sqrt{(g*_平行 cos(theta)^2 + (g*_垂直 sin(theta)^2}。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009348,
title = {Resonant Tunnelling through InAs Quantum Dots in Tilted Magnetic Fields: Experimental Determination of the g-factor Anisotropy},
author = {J. M. Meyer and I. Hapke-Wurst and U. Zeitler and R. J. Haug and K. Pierz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009348},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, International Conference on Semiconductor Quantum Dots July 31 - August 3, 2000, Munich, Germany