本征磁性拓扑绝缘体的实验实现
材料科学
2019-06-21 v1
摘要
本征磁性拓扑绝缘体（TI）是一种具有本征磁序和拓扑电子态的化学计量磁性化合物。此类材料可为各种新颖的拓扑量子效应提供捷径，但迄今在实验中仍难以获得。在此，我们报道了通过分子束外延交替生长BiTe五重层与MnTe双层，实现高质量本征磁性TI---MnBiTe---薄膜的实验。该材料在角分辨光电子能谱中显示出典型的Dirac表面态，并通过磁学和输运测量以及第一性原理计算证明是一种具有铁磁表面的反铁磁性拓扑绝缘体。其独特的磁性与拓扑电子结构及其相互作用使该材料能够以良好可控的方式体现丰富的量子相，如量子反常霍尔绝缘体和轴子绝缘体。
引用
@article{arxiv.1809.07926,
title = {Experimental realization of an intrinsic magnetic topological insulator},
author = {Yan Gong and Jingwen Guo and Jiaheng Li and Kejing Zhu and Menghan Liao and Xiaozhi Liu and Qinghua Zhang and Lin Gu and Lin Tang and Xiao Feng and Ding Zhang and Wei Li and Canli Song and Lili Wang and Pu Yu and Xi Chen and Yayu Wang and Hong Yao and Wenhui Duan and Yong Xu and Shou-Cheng Zhang and Xucun Ma and Qi-Kun Xue and Ke He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07926},
year = {2019}
}