纳米尺度拓扑绝缘体中自旋与电荷流的控制
介观与纳米尺度物理
2016-03-23 v1
摘要
在拓扑绝缘体（TIs）中控制自旋与电荷流的流动，是量子计算和自旋电子学应用的关键需求。我们证明，通过磁缺陷破坏时间反演对称性，可以在纳米尺度的二维拓扑绝缘体中建立这种控制。这使得产生几乎完全自旋极化的电荷流以及设计高度可调的自旋二极管成为可能。类似效应也可以在拓扑绝缘体与铁磁或反铁磁材料界面处的介观混合结构中实现。
引用
@article{arxiv.1509.08467,
title = {Controlling the Flow of Spin and Charge in Nanoscopic Topological Insulators},
author = {John S. Van Dyke and Dirk K. Morr},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.08467},
year = {2016}
}