自旋预cession与激光诱导的自旋偏挝光电流

控制拓扑绝缘体（TIs）中的自旋电流对于自旋电子学至关重要，但由于其手性边态的鲁棒性，使得如自旋场效应晶体管（SFETs）等器件所需的自旋操控面临挑战。我们理论上展示，通过协同施加圆偏振光和可调节的 Rashba自旋轨道耦合（rSOC）到二维TIs上，可以克服这一挑战。激光辐射提供了对Floquet侧带的访问，其中rSOC诱导可控的自旋预cession，导致产生单向、可开关的自旋偏挝光电流，这一效应在平衡TIs中是被禁止的。这种机制有效实现了SFET功能，具体位于驱动的TIs的不同Floquet复制体中，为基于光的控制在拓扑自旋电子学中提供了新的范式。