非弹道自旋场效应晶体管中电注入自旋的受控旋转
介观与纳米尺度物理
2023-06-28 v1
摘要
半导体沟道中自旋的电控旋转是许多自旋电子器件（例如自旋场效应晶体管（sFET））成功实现的先决条件。迄今为止，关于 sFET 类器件中电控自旋进动的报道寥寥无几。这些器件如原始 sFET 提案所假设，工作于弹道 regime，因此实践中需要高 SOC 沟道材料。在此，我们展示了使用窄扩散导线阵列作为自旋源与自旋漏之间沟道的非弹道 sFET 中的栅控自旋进动。我们的研究表明，在半导体沟道中行进的自旋可在远超过电子平均自由程的距离上相干旋转，因此自旋晶体管功能可在具有相对较低 SOC 的非弹道沟道中实现，从而放宽了原始 sFET 提案的两个主要限制。
引用
@article{arxiv.2303.01843,
title = {Controlled rotation of electrically injected spins in a non-ballistic spin field-effect transistor},
author = {Franz Eberle and Dieter Schuh and Benedikt Grünewald and Dominique Bougeard and Dieter Weiss and Mariusz Ciorga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.01843},
year = {2023}
}
备注
Main text: 21 pages, 4 figures. Supplementary Information:11 pages, 4 figures