HgTe拓扑绝缘体中通过单个磁势垒的电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2016-07-21 v1
摘要
本文从理论上研究了 HgTe 拓扑绝缘体中通过单个磁势垒的电子隧穿。我们发现，由于角动量守恒，垂直磁场不会导致边缘态的自旋翻转。通过调节磁场和费米能，边缘通道可以从导通状态转变为关断状态，电流可以从非极化状态转变为完全自旋极化状态。这些特性为我们提供了一种控制拓扑边缘态输运的有效方法，并为利用拓扑边缘态构建纳米电子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1607.05793,
title = {Electron tunneling through a single magnetic barrier in HgTe topological insulator},
author = {L. Lin and X. Wu and W. Low and D. Zhang and Zhenhua Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05793},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 5 figures