锇吸附原子对石墨烯的意外空穴掺杂
介观与纳米尺度物理
2019-12-11 v1
摘要
研究了单层石墨烯器件在沉积亚单层锇吸附原子前后以及原位沉积过程中的电子输运。出乎意料的是，与迄今研究的所有其他金属吸附原子不同，锇吸附原子将电荷中性点移至更正的栅压处。这表明锇吸附原子充当电子受体，从而使石墨烯呈空穴掺杂。输运数据分析表明，Os 吸附原子表现为带电杂质散射体，尽管其电荷掺杂效率出奇地低。研究发现，随着样品升温至室温，石墨烯的电荷中性点随栅压非单调变化，这表明锇在表面扩散但未被完全移除。
引用
@article{arxiv.1912.04484,
title = {Unexpected hole doping of graphene by osmium adatoms},
author = {Jamie A. Elias and Erik A. Henriksen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04484},
year = {2019}
}