钨修饰石墨烯中的电子输运与散射时间
介观与纳米尺度物理
2017-02-15 v2
摘要
在研究单层石墨烯表面沉积稀薄的钨吸附原子涂层前后，对其电子输运性质进行了研究。对于高达单原子层2.5\%的覆盖度，我们发现钨吸附原子同时向石墨烯提供电子并降低载流子迁移率，从而影响零场和有限场下的输运性质。两种独立的输运分析表明，吸附原子位于表面上方近1 nm处。还观察到吸附原子的存在影响低场磁电阻，改变了弱局域化的特征。
引用
@article{arxiv.1610.09342,
title = {Electronic transport and scattering times in tungsten-decorated graphene},
author = {Jamie A. Elias and Erik A. Henriksen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09342},
year = {2017}
}
备注
19 pages, 4 figures; fixed figure sizes and captions