铱修饰石墨烯的电子输运性质
介观与纳米尺度物理
2016-04-18 v1
摘要
据预测，经 5d 过渡金属原子修饰的石墨烯会展现出许多引人入胜的性质；例如，有研究提出铱吸附原子可在石墨烯中诱导出可观的拓扑能隙。我们广泛研究了在超高真空、低温 (7 K) 条件下沉积铱修饰的单层石墨烯的电导率，考察了其随铱浓度、载流子密度、温度以及退火条件的变化。我们的结果与低温下形成约 100 个原子的铱团簇的图景一致，每个团簇向石墨烯提供一个电子电荷。对石墨烯进行退火处理会增大团簇尺寸，从而降低掺杂并提高迁移率。我们没有观察到任何由自旋-轨道耦合诱导的能隙迹象，这可能归因于铱的团簇化。
引用
@article{arxiv.1507.02773,
title = {Electronic transport properties of Ir-decorated graphene},
author = {Yilin Wang and Shudong Xiao and Xinghan Cai and Wenzhong Bao and Janice Reutt-Robey and Michael S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.02773},
year = {2016}
}